Главная » 2010 » Февраль » 6 » Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM
17:20
Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM
Об очередном достижении на ниве разработки памяти DRAM объявила
компания Samsung Electronics. Южнокорейскому производителю удалось
создать первые в мире чипы памяти DDR3 DRAM, изготовленные по нормам 30
нм техпроцесса. При этом плотность новой памяти составляет 2 Гбит.
По данным Samsung Electronics, применение 30 нм технологии позволяет
увеличить показатель продуктивности памяти DDR3 на 60 процентов по
сравнению с ее 40 нм аналогом. При этом эффективность затрат на
производство 30 нм памяти DDR3 DRAM вдвое выше, чем при использовании
50 нм или 60 нм техпроцесса.
Кроме того, 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит от Samsung
является весьма энергоэффективным решением. Энергопотребление такой
памяти до 30 процентов ниже, чем у ее 50 нм аналога. Ожидается, что
новая 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит найдет свое применение
в широком спектре продуктов, от настольных компьютеров и ноутбуков до
серверных систем, нетбуков и мобильных устройств, а массовое
производство такой памяти должно начаться во второй половине текущего
года.
