Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM - 6 Февраля 2010

Среда, 24.09.2025, 13:04

Главная
Мой профиль
Регистрация
Выход
Вход

Интернет-магазин PrimeShop

Вы вошли как Гость | Группа "Гости"Приветствую Вас Гость | RSS

Меню

Архив записей

IP адрес

216.73.216.185

Партнеры

Наш банер

Білозерське

РђР»СЊС„Р°-Р±Р°РЅРє РєСѓСЂСЃ РґРѕР»Р»Р°СЂР°

Graffiti Decorations(R) Studio (TM) Site Promoter

Главная » » Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM

17:20 Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM
Об очередном достижении на ниве разработки памяти DRAM объявила компания Samsung Electronics. Южнокорейскому производителю удалось создать первые в мире чипы памяти DDR3 DRAM, изготовленные по нормам 30 нм техпроцесса. При этом плотность новой памяти составляет 2 Гбит. По данным Samsung Electronics, применение 30 нм технологии позволяет увеличить показатель продуктивности памяти DDR3 на 60 процентов по сравнению с ее 40 нм аналогом. При этом эффективность затрат на производство 30 нм памяти DDR3 DRAM вдвое выше, чем при использовании 50 нм или 60 нм техпроцесса. Кроме того, 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит от Samsung является весьма энергоэффективным решением. Энергопотребление такой памяти до 30 процентов ниже, чем у ее 50 нм аналога. Ожидается, что новая 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит найдет свое применение в широком спектре продуктов, от настольных компьютеров и ноутбуков до серверных систем, нетбуков и мобильных устройств, а массовое производство такой памяти должно начаться во второй половине текущего года.
1 2 3 4 5 Просмотров: 382 \| Добавил: Czar21 \| Рейтинг: 0.0/0